Référence fabricant | SI5511DC-T1-GE3 |
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Fabricant | Vishay Siliconix |
catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - Matrices |
quantité disponible | 65880 Pieces |
Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
La description | MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8 |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut de production (cycle de vie) | In Production |
Heure de livraison | 1-2 Days |
Code de date (D / C) | New |
Télécharger la fiche technique | SI5511DC-T1-GE3.pdf |
Numéro d'article | SI5511DC-T1-GE3 |
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Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
État | New & Unused, Original Sealed |
État de la pièce | Obsolete |
FET Type | N and P-Channel |
FET Caractéristique | Logic Level Gate |
Drain à la tension de source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 4A, 3.6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 4.8A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 7.1nC @ 5V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 435pF @ 15V |
Puissance - Max | 3.1W, 2.6W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / cas | 8-SMD, Flat Lead |
Package de périphérique fournisseur | 1206-8 ChipFET™ |
Poids | 0.001 KG |
Application | Email for details |
Pièce de rechange | SI5511DC-T1-GE3 |
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