Vishay Siliconix Distributeur www.qycomp.com SI5511DC-T1-GE3
Référence fabricantSI5511DC-T1-GE3
FabricantVishay Siliconix
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Matrices
quantité disponible65880 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article SI5511DC-T1-GE3
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Obsolete
FET Type N and P-Channel
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 4A, 3.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55 mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.1nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 435pF @ 15V
Puissance - Max 3.1W, 2.6W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SMD, Flat Lead
Package de périphérique fournisseur 1206-8 ChipFET™
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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Vishay Siliconix Distributeur

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