Vishay Siliconix Distributeur www.qycomp.com SI7252DP-T1-GE3
Référence fabricantSI7252DP-T1-GE3
FabricantVishay Siliconix
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Matrices
quantité disponible42810 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK 8SO
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article SI7252DP-T1-GE3
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 36.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1170pF @ 50V
Puissance - Max 46W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas PowerPAK® SO-8 Dual
Package de périphérique fournisseur PowerPAK® SO-8 Dual
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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Vishay Siliconix Distributeur

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