Vishay Siliconix Distributeur www.qycomp.com SIS110DN-T1-GE3
Référence fabricantSIS110DN-T1-GE3
FabricantVishay Siliconix
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Simples
quantité disponible60640 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article SIS110DN-T1-GE3
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 5.2A (Ta), 14.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 54 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 550pF @ 50V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 3.2W (Ta), 24W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PowerPAK® 1212-8
Paquet / cas PowerPAK® 1212-8
Poids 0.001 KG
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