Référence fabricant | SIS888DN-T1-GE3 |
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Fabricant | Vishay Siliconix |
catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - Simples |
quantité disponible | 104450 Pieces |
Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
La description | MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut de production (cycle de vie) | In Production |
Heure de livraison | 1-2 Days |
Code de date (D / C) | New |
Télécharger la fiche technique | SIS888DN-T1-GE3.pdf |
Numéro d'article | SIS888DN-T1-GE3 |
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Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
État | New & Unused, Original Sealed |
État de la pièce | Active |
FET Type | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 150V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 20.2A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 58 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.2V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 420pF @ 75V |
FET Caractéristique | - |
Dissipation de puissance (Max) | 52W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Package de périphérique fournisseur | PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) |
Paquet / cas | PowerPAK® 1212-8S |
Poids | 0.001 KG |
Application | Email for details |
Pièce de rechange | SIS888DN-T1-GE3 |
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