| Référence fabricant | SIZ998DT-T1-GE3 |
|---|---|
| Fabricant | Vishay Siliconix |
| catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - Matrices |
| quantité disponible | 156440 Pieces |
| Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
| La description | MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut de production (cycle de vie) | In Production |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | SIZ998DT-T1-GE3.pdf |
| Numéro d'article | SIZ998DT-T1-GE3 |
|---|---|
| Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
| État | New & Unused, Original Sealed |
| État de la pièce | Active |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| FET Caractéristique | Standard |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 30V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc), 60A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7 mOhm @ 15A, 10V, 2.8 mOhm @ 19A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 930pF @ 15V, 2620pF @ 15V |
| Puissance - Max | 20.2W, 32.9W |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | 8-PowerWDFN |
| Package de périphérique fournisseur | 8-PowerPair® |
| Poids | 0.001 KG |
| Application | Email for details |
| Pièce de rechange | SIZ998DT-T1-GE3 |
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