Toshiba Semiconductor and Storage Distributeur www.qycomp.com SSM6L35FE,LM
Référence fabricantSSM6L35FE,LM
FabricantToshiba Semiconductor and Storage
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Matrices
quantité disponible22160 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article SSM6L35FE,LM
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
FET Type N and P-Channel
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 180mA, 100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 50mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9.5pF @ 3V
Puissance - Max 150mW
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SOT-563, SOT-666
Package de périphérique fournisseur ES6 (1.6x1.6)
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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Toshiba Semiconductor and Storage Distributeur

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