STMicroelectronics Distributeur www.qycomp.com STGW80H65DFB-4
Référence fabricantSTGW80H65DFB-4
FabricantSTMicroelectronics
catégorie de produitTransistors - IGBT - Simples
quantité disponible59990 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionIGBT BIPO 650V 80A TO247
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article STGW80H65DFB-4
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 120A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 240A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 80A
Puissance - Max 469W
Échange d'énergie 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 414nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 84ns/280ns
Condition de test 400V, 80A, 10 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) 85ns
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-247-4
Package de périphérique fournisseur TO-247-4L
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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