STMicroelectronics Distributeur www.qycomp.com STGWA60H65DFB
Référence fabricantSTGWA60H65DFB
FabricantSTMicroelectronics
catégorie de produitTransistors - IGBT - Simples
quantité disponible466167 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionIGBT BIPO 650V 60A TO247-3
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article STGWA60H65DFB
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 80A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 240A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 60A
Puissance - Max 375W
Échange d'énergie 1.59mJ (on), 900µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 306nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 66ns/210ns
Condition de test 400V, 60A, 10 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) 60ns
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-247-3
Package de périphérique fournisseur TO-247 Long Leads
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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