STMicroelectronics Distributeur www.qycomp.com STI100N10F7
Référence fabricantSTI100N10F7
FabricantSTMicroelectronics
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Simples
quantité disponible141020 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article STI100N10F7
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 80A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 25V
Vgs (Max) -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) -
Température de fonctionnement -
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur I2PAK (TO-262)
Paquet / cas TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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