| Référence fabricant | TH58NYG2S3HBAI4 |
|---|---|
| Fabricant | Toshiba Memory America, Inc. |
| catégorie de produit | Mémoire |
| quantité disponible | 11570 Pieces |
| Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
| La description | 4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut de production (cycle de vie) | In Production |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | TH58NYG2S3HBAI4.pdf |
| Numéro d'article | TH58NYG2S3HBAI4 |
|---|---|
| Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
| État | New & Unused, Original Sealed |
| État de la pièce | Active |
| Type de mémoire | - |
| Format de la mémoire | - |
| La technologie | - |
| Taille mémoire | - |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire un temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Interface de mémoire | - |
| Tension - Alimentation | - |
| Température de fonctionnement | - |
| Type de montage | - |
| Paquet / cas | - |
| Package de périphérique fournisseur | - |
| Poids | 0.001 KG |
| Application | Email for details |
| Pièce de rechange | TH58NYG2S3HBAI4 |
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