Toshiba Semiconductor and Storage Distributeur www.qycomp.com TPC8018-H(TE12LQM)
Référence fabricantTPC8018-H(TE12LQM)
FabricantToshiba Semiconductor and Storage
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Simples
quantité disponible44320 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article TPC8018-H(TE12LQM)
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 18A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2265pF @ 10V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 1W (Ta)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 8-SOP (5.5x6.0)
Paquet / cas 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Poids 0.001 KG
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Toshiba Semiconductor and Storage Distributeur

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