Texas Instruments Distributeur www.qycomp.com TPS1100DR
Référence fabricantTPS1100DR
FabricantTexas Instruments
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Simples
quantité disponible96770 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
Télécharger la fiche technique TPS1100DR.pdf

Attributs du produit

Numéro d'article TPS1100DR
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 15V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 1.6A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 5.45nC @ 10V
Vgs (Max) +2V, -15V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 791mW (Ta)
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 8-SOIC
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Poids 0.001 KG
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