Texas Instruments 配給業者 www.qycomp.com TPS1100DR
製造業者識別番号TPS1100DR
メーカーTexas Instruments
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - シングル
利用可能な数量96770 Pieces
単価メールで見積もり ([email protected])
説明MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC
鉛フリーステータス/ RoHSステータス鉛フリー/ RoHS準拠
湿気感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
生産状況(ライフサイクル)In Production
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード TPS1100DR.pdf

製品の属性

部品番号 TPS1100DR
メーカーリードタイム 6-8 weeks
調子 New & Unused, Original Sealed
部品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 15V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 1.6A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs 180 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 1.5V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 5.45nC @ 10V
Vgs(最大) +2V, -15V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds -
FET機能 -
消費電力(最大) 791mW (Ta)
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 8-SOIC
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
重量 0.001 KG
応用 Email for details
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