Référence fabricant | TPW1R005PL,L1Q |
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Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - Simples |
quantité disponible | 141530 Pieces |
Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
La description | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut de production (cycle de vie) | In Production |
Heure de livraison | 1-2 Days |
Code de date (D / C) | New |
Télécharger la fiche technique | TPW1R005PL,L1Q.pdf |
Numéro d'article | TPW1R005PL,L1Q |
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Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
État | New & Unused, Original Sealed |
État de la pièce | Active |
FET Type | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 45V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 300A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 1mA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 122nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 9600pF @ 22.5V |
FET Caractéristique | - |
Dissipation de puissance (Max) | 960mW (Ta), 170W (Tc) |
Température de fonctionnement | 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Package de périphérique fournisseur | 8-DSOP Advance |
Paquet / cas | 8-PowerVDFN |
Poids | 0.001 KG |
Application | Email for details |
Pièce de rechange | TPW1R005PL,L1Q |
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