Référence fabricant | UPA2660T1R-E2-AX |
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Fabricant | Renesas Electronics America |
catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - Matrices |
quantité disponible | 93680 Pieces |
Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
La description | MOSFET 2N-CH 20V 4A 6SON |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut de production (cycle de vie) | In Production |
Heure de livraison | 1-2 Days |
Code de date (D / C) | New |
Télécharger la fiche technique | UPA2660T1R-E2-AX.pdf |
Numéro d'article | UPA2660T1R-E2-AX |
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Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
État | New & Unused, Original Sealed |
État de la pièce | Active |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
FET Caractéristique | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
Drain à la tension de source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 4A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 62 mOhm @ 2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 4.5nC @ 10V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 330pF @ 10V |
Puissance - Max | 2.3W |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / cas | 6-PowerWDFN |
Package de périphérique fournisseur | 6-HUSON (2x2) |
Poids | 0.001 KG |
Application | Email for details |
Pièce de rechange | UPA2660T1R-E2-AX |
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