Microchip Technology Distributeur www.qycomp.com VP2206N2
Référence fabricantVP2206N2
FabricantMicrochip Technology
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Simples
quantité disponible146270 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET P-CH 60V 750MA 3TO-39
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
Télécharger la fiche technique VP2206N2.pdf

Attributs du produit

Numéro d'article VP2206N2
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 750mA (Tj)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 10mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (Max) ±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 450pF @ 25V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 360mW (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-39
Paquet / cas TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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