Vishay Semiconductor Diodes Division Distributeur www.qycomp.com VS-GT300YH120N
Référence fabricantVS-GT300YH120N
FabricantVishay Semiconductor Diodes Division
catégorie de produitTransistors - IGBT - Modules
quantité disponible126810 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionIGBT 1200V 341A 1042W DIAP
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article VS-GT300YH120N
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench
Configuration Half Bridge
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 341A
Puissance - Max 1042W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.17V @ 15V, 300A (Typ)
Courant - Coupure du collecteur (Max) 300µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 36nF @ 30V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Double INT-A-PAK (3 + 8)
Package de périphérique fournisseur Double INT-A-PAK
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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Vishay Semiconductor Diodes Division Distributeur

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