Référence fabricant | W947D2HBJX6E TR |
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Fabricant | Winbond Electronics |
catégorie de produit | Mémoire |
quantité disponible | 457609 Pieces |
Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
La description | IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut de production (cycle de vie) | In Production |
Heure de livraison | 1-2 Days |
Code de date (D / C) | New |
Télécharger la fiche technique | W947D2HBJX6E TR.pdf |
Numéro d'article | W947D2HBJX6E TR |
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Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
État | New & Unused, Original Sealed |
État de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de la mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR |
Taille mémoire | 128Mb (4M x 32) |
Fréquence d'horloge | 166MHz |
Écrire un temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 5ns |
Interface de mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7 V ~ 1.95 V |
Température de fonctionnement | -25°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / cas | 90-TFBGA |
Package de périphérique fournisseur | 90-VFBGA (8x13) |
Poids | 0.001 KG |
Application | Email for details |
Pièce de rechange | W947D2HBJX6E TR |
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