Diodes Incorporated Distributeur www.qycomp.com ZXMC6A09DN8TA
Référence fabricantZXMC6A09DN8TA
FabricantDiodes Incorporated
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Matrices
quantité disponible119400 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article ZXMC6A09DN8TA
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
FET Type N and P-Channel
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 3.9A, 3.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45 mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 24.2nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1407pF @ 40V
Puissance - Max 1.8W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SOP
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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