| Numero di parte del produttore | 2SA965-Y,T6F(J |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoria di prodotto | Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli |
| Quantità disponibile | 168320 Pieces |
| Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
| Descrizione | TRANS PNP 800MA 120V TO226-3 |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | 2SA965-Y,T6F(J.pdf |
| Numero di parte | 2SA965-Y,T6F(J |
|---|---|
| Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
| Condizione | New & Unused, Original Sealed |
| Stato parte | Obsolete |
| Transistor Type | PNP |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 800mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 120V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 100mA, 5V |
| Potenza - Max | 900mW |
| Frequenza - Transizione | 120MHz |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| Pacchetto dispositivo fornitore | LSTM |
| Peso | 0.001 KG |
| Applicazione | Email for details |
| Pezzo di ricambio | 2SA965-Y,T6F(J |
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