Numero di parte del produttore | 2SK3666-2-TB-E |
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fabbricante | ON Semiconductor |
Categoria di prodotto | Transistor - JFET |
Quantità disponibile | 91780 Pieces |
Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
Descrizione | JFET NCH 30V 200MW 3CP |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
Tempo di consegna | 1-2 Days |
Data Code (D / C) | New |
Scarica il foglio dati | 2SK3666-2-TB-E.pdf |
Numero di parte | 2SK3666-2-TB-E |
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Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
Condizione | New & Unused, Original Sealed |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tensione - Guasto (V (BR) GSS) | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 600µA @ 10V |
Scarico corrente (Id) - max | 10mA |
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 180mV @ 1µA |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4pF @ 10V |
Resistenza - RDS (On) | 200 Ohms |
Potenza - Max | 200mW |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | 3-CP |
Peso | 0.001 KG |
Applicazione | Email for details |
Pezzo di ricambio | 2SK3666-2-TB-E |
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