| Numero di parte del produttore | 70V657S10DR |
|---|---|
| fabbricante | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Categoria di prodotto | Memoria |
| Quantità disponibile | 194400 Pieces |
| Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
| Descrizione | IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | 70V657S10DR.pdf |
| Numero di parte | 70V657S10DR |
|---|---|
| Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
| Condizione | New & Unused, Original Sealed |
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato di memoria | SRAM |
| Tecnologia | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
| Dimensione della memoria | 1.125Mb (32K x 36) |
| Frequenza di clock | - |
| Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 10ns |
| Tempo di accesso | 10ns |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Tensione - Fornitura | 3.15 V ~ 3.45 V |
| temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 208-BFQFP |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 208-PQFP (28x28) |
| Peso | 0.001 KG |
| Applicazione | Email for details |
| Pezzo di ricambio | 70V657S10DR |
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