Microsemi Corporation Distributore www.qycomp.com APTM120A20DG
Numero di parte del produttoreAPTM120A20DG
fabbricanteMicrosemi Corporation
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Array
Quantità disponibile137120 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati APTM120A20DG.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte APTM120A20DG
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 6mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 600nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 15200pF @ 25V
Potenza - Max 1250W
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso SP6
Pacchetto dispositivo fornitore SP6
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
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Microsemi Corporation Distributore

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