Infineon Technologies Distributore www.qycomp.com BSM35GB120DN2HOSA1
Numero di parte del produttoreBSM35GB120DN2HOSA1
fabbricanteInfineon Technologies
Categoria di prodottoTransistor - IGBT - Moduli
Quantità disponibile137950 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneIGBT 2 MED POWER 34MM-1
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati BSM35GB120DN2HOSA1.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte BSM35GB120DN2HOSA1
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Not For New Designs
Tipo IGBT -
Configurazione Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 50A
Potenza - Max 280W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 35A
Corrente - Limite del collettore (max) 1mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 2nF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC No
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso Module
Pacchetto dispositivo fornitore Module
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio BSM35GB120DN2HOSA1

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Infineon Technologies Distributore

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