Infineon Technologies Distributore www.qycomp.com BSZ014NE2LS5IFATMA1
Numero di parte del produttoreBSZ014NE2LS5IFATMA1
fabbricanteInfineon Technologies
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile113030 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET N-CH 25V 31A 8TSDSON
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati BSZ014NE2LS5IFATMA1.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte BSZ014NE2LS5IFATMA1
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 31A (Ta), 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.45 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V
Vgs (massimo) ±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2300pF @ 12V
Caratteristica FET Schottky Diode (Body)
Dissipazione di potenza (max) 2.1W (Ta), 69W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TSDSON-8-FL
Pacchetto / caso 8-PowerTDFN
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio BSZ014NE2LS5IFATMA1

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