NXP USA Inc. Distributore www.qycomp.com BUK652R7-30C,127
Numero di parte del produttoreBUK652R7-30C,127
fabbricanteNXP USA Inc.
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile123070 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati BUK652R7-30C,127.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte BUK652R7-30C,127
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 114nC @ 10V
Vgs (massimo) ±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6960pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 204W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB
Pacchetto / caso TO-220-3
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio BUK652R7-30C,127

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