Infineon Technologies Distributore www.qycomp.com BUZ32H3045AATMA1
Numero di parte del produttoreBUZ32H3045AATMA1
fabbricanteInfineon Technologies
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile16690 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET N-CH 200V 9.5A TO-263
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati BUZ32H3045AATMA1.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte BUZ32H3045AATMA1
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 9.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 530pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 75W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO263-3
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio BUZ32H3045AATMA1

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