| Numero di parte del produttore | CPMF-1200-S080B |
|---|---|
| fabbricante | Cree/Wolfspeed |
| Categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| Quantità disponibile | 176430 Pieces |
| Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
| Descrizione | MOSFET N-CHANNEL 1200V 50A DIE |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | CPMF-1200-S080B.pdf |
| Numero di parte | CPMF-1200-S080B |
|---|---|
| Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
| Condizione | New & Unused, Original Sealed |
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tj) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 20A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90.8nC @ 20V |
| Vgs (massimo) | +25V, -5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1915pF @ 800V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 313mW (Tj) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Die |
| Pacchetto / caso | Die |
| Peso | 0.001 KG |
| Applicazione | Email for details |
| Pezzo di ricambio | CPMF-1200-S080B |
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