Numero di parte del produttore | CYDD09S36V18-200BBXC |
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fabbricante | Cypress Semiconductor Corp |
Categoria di prodotto | Memoria |
Quantità disponibile | 12400 Pieces |
Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
Descrizione | IC SRAM 9M PARALLEL 256FBGA |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
Tempo di consegna | 1-2 Days |
Data Code (D / C) | New |
Scarica il foglio dati | CYDD09S36V18-200BBXC.pdf |
Numero di parte | CYDD09S36V18-200BBXC |
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Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
Condizione | New & Unused, Original Sealed |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Dual Port, Synchronous |
Dimensione della memoria | 9Mb (128K x 36 x 2) |
Frequenza di clock | 200MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 500ps |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.42 V ~ 1.58 V, 1.7 V ~ 1.9 V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 256-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 256-FBGA (17x17) |
Peso | 0.001 KG |
Applicazione | Email for details |
Pezzo di ricambio | CYDD09S36V18-200BBXC |
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