Infineon Technologies Distributore www.qycomp.com DF120R12W2H3B27BOMA1
Numero di parte del produttoreDF120R12W2H3B27BOMA1
fabbricanteInfineon Technologies
Categoria di prodottoTransistor - IGBT - Moduli
Quantità disponibile41730 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneIGBT MODULE 800V 50A
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati DF120R12W2H3B27BOMA1.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte DF120R12W2H3B27BOMA1
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo IGBT -
Configurazione Three Phase Inverter
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 50A
Potenza - Max 180W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 40A
Corrente - Limite del collettore (max) 1mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 2.35nF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC Yes
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso Module
Pacchetto dispositivo fornitore Module
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio DF120R12W2H3B27BOMA1

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