Infineon Technologies Distributore www.qycomp.com DF650R17IE4BOSA1
Numero di parte del produttoreDF650R17IE4BOSA1
fabbricanteInfineon Technologies
Categoria di prodottoTransistor - IGBT - Moduli
Quantità disponibile164380 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOD IGBT 650A PRIME2-1
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati DF650R17IE4BOSA1.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte DF650R17IE4BOSA1
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo IGBT -
Configurazione Single
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 930A
Potenza - Max 4150W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 650A
Corrente - Limite del collettore (max) 5mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 54nF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC Yes
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso Module
Pacchetto dispositivo fornitore Module
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio DF650R17IE4BOSA1

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