Diodes Incorporated Distributore www.qycomp.com DMJ70H1D3SI3
Numero di parte del produttoreDMJ70H1D3SI3
fabbricanteDiodes Incorporated
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile80610 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET N-CH 700V 4.6A TO251
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati DMJ70H1D3SI3.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte DMJ70H1D3SI3
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 700V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.9nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 351pF @ 50V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 41W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-251
Pacchetto / caso TO-251-3 Stub Leads, IPak
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio DMJ70H1D3SI3

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Diodes Incorporated Distributore

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