Diodes Incorporated Distributore www.qycomp.com DMN26D0UFB4-7
Numero di parte del produttoreDMN26D0UFB4-7
fabbricanteDiodes Incorporated
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile49170 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET N-CH 20V 230MA DFN
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati DMN26D0UFB4-7.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte DMN26D0UFB4-7
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 230mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (massimo) ±10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 14.1pF @ 15V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 350mW (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore X2-DFN1006-3
Pacchetto / caso 3-XFDFN
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio DMN26D0UFB4-7

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Diodes Incorporated Distributore

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