Diodes Incorporated Distributore www.qycomp.com DMN30H4D0LFDE-13
Numero di parte del produttoreDMN30H4D0LFDE-13
fabbricanteDiodes Incorporated
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile124720 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET N-CH 300V 0.55A 6UDFN
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati DMN30H4D0LFDE-13.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte DMN30H4D0LFDE-13
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 300V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 550mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 Ohm @ 300mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.6nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 187.3pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 630mW (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore U-DFN2020-6 (Type E)
Pacchetto / caso 6-UDFN Exposed Pad
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio DMN30H4D0LFDE-13

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Diodes Incorporated Distributore

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