Diodes Incorporated Distributore www.qycomp.com DMT10H015LCG-13
Numero di parte del produttoreDMT10H015LCG-13
fabbricanteDiodes Incorporated
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile136590 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati DMT10H015LCG-13.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte DMT10H015LCG-13
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 9.4A (Ta), 34A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33.3nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1871pF @ 50V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 155°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore V-DFN3333-8
Pacchetto / caso 8-VDFN Exposed Pad
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio DMT10H015LCG-13

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Diodes Incorporated Distributore

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