Diodes Incorporated Distribuidor www.qycomp.com DMT10H015LCG-13
Número de pieza del fabricanteDMT10H015LCG-13
FabricanteDiodes Incorporated
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Cantidad disponible136590 Pieces
Precio unitarioCotizar por correo electrónico ([email protected])
DescripciónMOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN
Estado sin plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de producción (ciclo de vida)In Production
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos DMT10H015LCG-13.pdf

Atributos del producto

Número de pieza DMT10H015LCG-13
Fabricante plazo de ejecución 6-8 weeks
Condición New & Unused, Original Sealed
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 9.4A (Ta), 34A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 33.3nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1871pF @ 50V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 155°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor V-DFN3333-8
Paquete / caja 8-VDFN Exposed Pad
Peso 0.001 KG
Solicitud Email for details
Repuesto DMT10H015LCG-13

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