ON Semiconductor Distributore www.qycomp.com EFC6601R-TR
Numero di parte del produttoreEFC6601R-TR
fabbricanteON Semiconductor
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Array
Quantità disponibile167710 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET 2N-CH EFCP
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati EFC6601R-TR.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte EFC6601R-TR
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss) -
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Potenza - Max 2W
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 6-XFBGA, FCBGA
Pacchetto dispositivo fornitore EFCP2718-6CE-020
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
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