EPC Distributore www.qycomp.com EPC2016C
Numero di parte del produttoreEPC2016C
fabbricanteEPC
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile81740 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneTRANS GAN 100V 18A BUMPED DIE
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati EPC2016C.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte EPC2016C
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 18A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16 mOhm @ 11A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.5nC @ 5V
Vgs (massimo) +6V, -4V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 420pF @ 50V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) -
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore Die
Pacchetto / caso Die
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio EPC2016C

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