Rohm Semiconductor Distributore www.qycomp.com ES6U1T2R
Numero di parte del produttoreES6U1T2R
fabbricanteRohm Semiconductor
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile106000 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET P-CH 12V 1.3A WEMT6
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati ES6U1T2R.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte ES6U1T2R
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Not For New Designs
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 260 mOhm @ 1.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.4nC @ 4.5V
Vgs (massimo) ±10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 6V
Caratteristica FET Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max) 700mW (Ta)
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 6-WEMT
Pacchetto / caso SOT-563, SOT-666
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
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