ON Semiconductor Distributore www.qycomp.com FGD3N60UNDF
Numero di parte del produttoreFGD3N60UNDF
fabbricanteON Semiconductor
Categoria di prodottoTransistor - IGBT - Singoli
Quantità disponibile88290 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneIGBT 600V 6A 60W DPAK
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati FGD3N60UNDF.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte FGD3N60UNDF
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo IGBT NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 6A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 9A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.52V @ 15V, 3A
Potenza - Max 60W
Cambiare energia 52µJ (on), 30µJ (off)
Tipo di input Standard
Carica del cancello 1.6nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 5.5ns/22ns
Condizione di test 400V, 3A, 10 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) 21ns
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore TO-252, (D-Pak)
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
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