Infineon Technologies Distributore www.qycomp.com FP50R07N2E4BOSA1
Numero di parte del produttoreFP50R07N2E4BOSA1
fabbricanteInfineon Technologies
Categoria di prodottoTransistor - IGBT - Moduli
Quantità disponibile146730 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneIGBT MODULE VCES 600V 50A
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati FP50R07N2E4BOSA1.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte FP50R07N2E4BOSA1
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo IGBT Trench Field Stop
Configurazione Three Phase Inverter
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 70A
Potenza - Max -
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 50A
Corrente - Limite del collettore (max) 1mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 3.1nF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC Yes
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso Module
Pacchetto dispositivo fornitore Module
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio FP50R07N2E4BOSA1

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Infineon Technologies Distributore

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