Infineon Technologies Distributore www.qycomp.com FZ1800R12HE4B9HOSA2
Numero di parte del produttoreFZ1800R12HE4B9HOSA2
fabbricanteInfineon Technologies
Categoria di prodottoTransistor - IGBT - Moduli
Quantità disponibile46630 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMODULE IGBT IHMB190-2
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati FZ1800R12HE4B9HOSA2.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte FZ1800R12HE4B9HOSA2
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo IGBT Trench Field Stop
Configurazione Single Switch
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 2735A
Potenza - Max 11000W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 1800A
Corrente - Limite del collettore (max) 5mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 110nF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC No
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso Module
Pacchetto dispositivo fornitore Module
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio FZ1800R12HE4B9HOSA2

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Infineon Technologies Distributore

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