Numero di parte del produttore | FZ800R12KS4B2NOSA1 |
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fabbricante | Infineon Technologies |
Categoria di prodotto | Transistor - IGBT - Moduli |
Quantità disponibile | 142480 Pieces |
Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
Descrizione | MODULE IGBT A-IHM130-1 |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
Tempo di consegna | 1-2 Days |
Data Code (D / C) | New |
Scarica il foglio dati | FZ800R12KS4B2NOSA1.pdf |
Numero di parte | FZ800R12KS4B2NOSA1 |
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Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
Condizione | New & Unused, Original Sealed |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Single |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1200A |
Potenza - Max | 7600W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 800A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 52nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Peso | 0.001 KG |
Applicazione | Email for details |
Pezzo di ricambio | FZ800R12KS4B2NOSA1 |
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