Renesas Electronics America Distributore www.qycomp.com HAT2299WP-EL-E
Numero di parte del produttoreHAT2299WP-EL-E
fabbricanteRenesas Electronics America
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile191650 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET N-CH WPAK
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati HAT2299WP-EL-E.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte HAT2299WP-EL-E
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 710pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 25W (Tc)
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-WPAK
Pacchetto / caso 8-PowerWDFN
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
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