Infineon Technologies Distributore www.qycomp.com IPA65R660CFDXKSA1
Numero di parte del produttoreIPA65R660CFDXKSA1
fabbricanteInfineon Technologies
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile21800 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET N-CH 650V 6A TO220
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati IPA65R660CFDXKSA1.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte IPA65R660CFDXKSA1
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 660 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 615pF @ 100V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 27.8W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO220 Full Pack
Pacchetto / caso TO-220-3 Full Pack
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio IPA65R660CFDXKSA1

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Infineon Technologies Distributore

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