| Numero di parte del produttore | IPB039N10N3GE8187ATMA1 |
|---|---|
| fabbricante | Infineon Technologies |
| Categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| Quantità disponibile | 81340 Pieces |
| Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7 |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | IPB039N10N3GE8187ATMA1.pdf |
| Numero di parte | IPB039N10N3GE8187ATMA1 |
|---|---|
| Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
| Condizione | New & Unused, Original Sealed |
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 160A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9 mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 160µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 117nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8410pF @ 50V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 214W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-7 |
| Pacchetto / caso | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
| Peso | 0.001 KG |
| Applicazione | Email for details |
| Pezzo di ricambio | IPB039N10N3GE8187ATMA1 |
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