Infineon Technologies Distributore www.qycomp.com IPB080N03LGATMA1
Numero di parte del produttoreIPB080N03LGATMA1
fabbricanteInfineon Technologies
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile88380 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET N-CH 30V 50A TO263-3
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati IPB080N03LGATMA1.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte IPB080N03LGATMA1
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1900pF @ 15V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 47W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore D²PAK (TO-263AB)
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio IPB080N03LGATMA1

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