Infineon Technologies Distributore www.qycomp.com IPC50N04S55R8ATMA1
Numero di parte del produttoreIPC50N04S55R8ATMA1
fabbricanteInfineon Technologies
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile18310 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET N-CHANNEL 40V 50A 8TDSON
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati IPC50N04S55R8ATMA1.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte IPC50N04S55R8ATMA1
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.4V @ 13µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1090pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 42W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TDSON-8
Pacchetto / caso 8-PowerTDFN
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio IPC50N04S55R8ATMA1

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