Numero di parte del produttore | IPD30N12S3L31ATMA1 |
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fabbricante | Infineon Technologies |
Categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
Quantità disponibile | 14720 Pieces |
Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
Descrizione | MOSFET N-CHANNEL_100+ |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
Tempo di consegna | 1-2 Days |
Data Code (D / C) | New |
Scarica il foglio dati | IPD30N12S3L31ATMA1.pdf |
Numero di parte | IPD30N12S3L31ATMA1 |
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Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
Condizione | New & Unused, Original Sealed |
Stato parte | Active |
Tipo FET | - |
Tecnologia | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Pacchetto / caso | - |
Peso | 0.001 KG |
Applicazione | Email for details |
Pezzo di ricambio | IPD30N12S3L31ATMA1 |
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