| Numero di parte del produttore | IPG20N10S4L35ATMA1 |
|---|---|
| fabbricante | Infineon Technologies |
| Categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Quantità disponibile | 145320 Pieces |
| Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | IPG20N10S4L35ATMA1.pdf |
| Numero di parte | IPG20N10S4L35ATMA1 |
|---|---|
| Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
| Condizione | New & Unused, Original Sealed |
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 17A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 16µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.4nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1105pF @ 25V |
| Potenza - Max | 43W |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8-4 |
| Peso | 0.001 KG |
| Applicazione | Email for details |
| Pezzo di ricambio | IPG20N10S4L35ATMA1 |
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